CXMT ha sido la primera entre sus competidores mundiales en lograr avances para organizar la producción en masa de memoria DRAM con transistores de orientación vertical. Empezará a fabricarla antes de que acabe el año, con el mercado de servidores como objetivo.
Fuente de la imagen: CXMT
El nombre de la china CXMT está rodeado en Occidente de episodios ambiguos en cuanto al origen de las tecnologías que obtiene, pero los resultados prácticos hablan por sí solos. Este fabricante chino ya ocupa el cuarto puesto mundial entre los proveedores de DRAM y también estudia el mercado de la memoria de estado sólido. Ahora ha anunciado sus ambiciones en el segmento de la DRAM para servidores.
Según informa BigGo Finance, el presidente de CXMT, Cao Kanyu, anunció ayer en la cuarta Conferencia sobre chips y chiplets que la compañía pondrá en marcha a finales de este año el suministro de memoria DDR5 avanzada de desarrollo propio en formato RDIMM para sistemas de servidor. La nueva arquitectura 4F
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implica una disposición vertical de los transistores, lo que ofrece un mejor control de los parámetros operativos de la puerta, reduce las corrientes de fuga y combate los llamados «efectos de canal corto». Entre otras cosas, la orientación vertical de los transistores en el chip de memoria permite aumentar su densidad de integración y, con ello, la capacidad del chip.
El valor 4F
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indica que una celda de memoria ocupa solo cuatro veces más superficie que el cuadrado del tamaño del elemento mínimo de la celda. La memoria que se fabrica en masa en la actualidad se caracteriza por el parámetro 6F
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, que ocupa más superficie de chip por celda. Al colocar más transistores por unidad de superficie, CXMT podrá fabricar memoria de mayor capacidad.
En las primeras etapas de dominio de la arquitectura 4F
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, CXMT se apoyó en transistores planares y litografía unificada, y esos prototipos quedaban por detrás de las soluciones de clase 6F
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fabricadas en masa. El paso a la tercera dimensión en el caso de 4F
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permitió separar los procesos de fabricación de la DRAM y de las estructuras CMOS y recurrir a la unión híbrida de obleas de silicio para organizar conexiones de alta velocidad. La densidad de los elementos lógicos y de las celdas de memoria pasó a poder optimizarse de forma independiente, y las limitaciones propias del diseño monolítico quedaron atrás.
CXMT cuenta con más de 300 familias de patentes relacionadas con la arquitectura 4F
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. El enfoque en impulsar esta generación de memoria en el segmento de servidores subraya la ambición de la compañía por conquistar el mercado de componentes para infraestructura de centros de datos. Máxime cuando esa prioridad ya se dejaba ver en el primer semestre.
En agosto de este año, CXMT anunció el inicio de la producción en masa de memoria de tipo LPDDR6, y subrayó que lo hacía por primera vez en el mundo. En septiembre anunció el inicio de la producción de DRAM de quinta generación (G5). La llegada a su catálogo de memoria con arquitectura 4F
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, muy demandada en el segmento de servidores, le permitirá reforzar aún más su posición de mercado en pleno auge de la IA. Sus competidoras Samsung, SK hynix y Micron también trabajan en la arquitectura 4F
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o en sus propios equivalentes tridimensionales, pero ninguna de ellas ha iniciado todavía la producción en masa de los productos correspondientes.