Para el fabricante estadounidense de memoria Micron Technology, el paso a memorias con transistores verticales no es una alternativa tan clara como para la china CXMT. La primera de las compañías ve más futuro en la 3D DRAM y considera la 4F2 un callejón sin salida que no dará los resultados esperados.
Fuente de la imagen: Micron Technology
Aunque la china CXMT habla con un orgullo previsible de sus intenciones de lanzar al mercado módulos DDR5 de tipo RDIMM basados en chips con una disposición de transistores 4F
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, los expertos externos ven la situación con más mesura. Señalan que para el fabricante chino este paso es en buena medida forzado, ya que CXMT no tiene acceso al equipo importado que permitiría poner en marcha la producción de memoria con una disposición más densa de los transistores por otras vías.
El presidente y director técnico de la estadounidense Micron Technology, Scott DeBoer, confirmó ayer en una entrevista con Nikkei que la compañía no tiene prisa por pasar a la disposición de celdas de memoria 4F
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. Según explicó, Micron ha estudiado esa posibilidad durante más de 20 años, pero todavía no incluye esa tecnología en sus planes de producción. En su lugar, Micron se propone desarrollar la disposición clásica 6F
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y apostar por la tecnología 3D DRAM de próxima generación.
Conviene recordar que en este caso F designa el tamaño lineal y, por tanto, F
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determina la superficie que ocupa una celda de memoria en la oblea semiconductora. La celda clásica 6F
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ocupa, así, más espacio que la 4F
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, que la china CXMT se apresura a implantar en condiciones de sanciones. La estadounidense Micron trabaja en condiciones más cómodas y por eso puede permitirse no pensar durante mucho tiempo en esa migración.
Es más, el director técnico de Micron calificó esa comparación entre ambas disposiciones de «espejos y humo», porque, según dijo, el paso a 4F
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no garantiza en absoluto un aumento de la capacidad de memoria. «Existe la idea equivocada de que la tecnología 4F2 realmente aporta alguna ventaja frente a la 6F2. En realidad, es precisamente el paso entre condensadores lo que determina las características de la DRAM», explicó DeBoer. Según él, la 4F
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no aporta ventajas sustanciales, y en producción la memoria correspondiente es más cara y compleja. En última instancia, es el paso de colocación de los condensadores lo que determina la densidad de empaquetado de las celdas de memoria y la capacidad del chip.
Cada condensador debe almacenar además una carga suficiente para permitir leer los datos de forma fiable, por lo que reducir el paso de su colocación resulta bastante difícil en comparación con la simple reducción del tamaño de los transistores. Si se atiende a las perspectivas futuras de escalado de la memoria con disposición 4F
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desde el punto de vista de la ciencia actual, como señala el representante de Micron, empiezan a intervenir las leyes de la física. Según DeBoer, serán ellas las que marquen los límites que en última instancia obligarán al diseño de los chips de memoria a pasar a la 3D DRAM en lugar de la 4F
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. Los condensadores de la 3D DRAM tienen una orientación completamente distinta, ya que esta memoria es «totalmente vertical», añadió. También escalan de otra forma las propias posibilidades de desarrollo de la 3D DRAM y toda la optimización asociada.
Según el director técnico de Micron, para esta compañía «la etapa en la que se requiere EUV coincide con el momento de elegir entre fabricar con tecnología 4F2 y 6F2». El equipo para producir chips con radiación ultravioleta extrema (EUV) que suministra la neerlandesa ASML está disponible para Micron sin restricciones de exportación, a diferencia de lo que ocurre con los fabricantes chinos de memoria.