Samsung, eterna rival de TSMC, tendrá que hacer concesiones a Nvidia y recurrir a obleas base de 3 nm fabricadas por TSMC para producir la memoria NVHBM. Más adelante espera poner en marcha su producción con tecnología de 2 nm por sus propios medios, pero en la primera etapa esa colaboración será inevitable.
Fuente de la imagen: Nvidia
En el mercado de la fabricación de chips por encargo, la surcoreana Samsung Electronics y la taiwanesa TSMC son viejas rivales. TSMC está reconocida como líder por volumen de producción, mientras que Samsung se esfuerza por alcanzarla al menos en el plano tecnológico y, en algunos aspectos, incluso por adelantarla. Samsung sigue siendo el mayor fabricante de memoria y, a la hora de producir las obleas base de HBM, históricamente ha tratado de apoyarse en sus propias capacidades tecnológicas.
Según el medio surcoreano Seoul Economic Daily, Nvidia, como principal cliente de la memoria NVHBM, ha logrado unir los esfuerzos de TSMC y Samsung en la fase de desarrollo. En la práctica, la oblea base de este tipo de memoria permite sacar las funciones auxiliares fuera del propio procesador gráfico (GPU) y aumentar el rendimiento al alojar en este último un número adicional de bloques de cálculo. El controlador de memoria se ha trasladado, de hecho, a la oblea base de la NVHBM, y la superficie del bloque de interfaz física (PHY) se ha podido reducir un 60 % frente a la HBM clásica. Como resultado, la NVHBM puede elevar el ancho de banda hasta un 30 % y reducir el consumo un 15 % en comparación con la HBM4E estándar.
Nvidia determinó que el proceso de 3 nm era el óptimo para la oblea base de la NVHBM, pero el porcentaje de chips válidos dentro de ese proceso debe superar un determinado valor. TSMC puede garantizar ese indicador por encima del 90 %, mientras que Samsung Electronics difícilmente lo elevará por encima del 60 % en un futuro previsible. Desde el punto de vista de Nvidia, lo más conveniente sería encargar la producción de las obleas base para la NVHBM con tecnología de 3 nm precisamente a TSMC.
Según las estimaciones de UBS, el año que viene la demanda de HBM crecerá un 91 % respecto al año en curso. Los proveedores, sin embargo, solo podrán ofrecer alrededor del 90 % del volumen que necesita el mercado. Samsung, entre otras cosas, tiene limitada su capacidad de producir obleas base para la NVHBM en las cantidades que necesita Nvidia, por lo que las principales esperanzas en este ámbito recaen en TSMC. Aunque Samsung se apoye en obleas base fabricadas por TSMC para su memoria NVHBM, en paralelo se preparará para producirlas por su cuenta. En una situación de escasez también habrá sitio en el mercado para ellas, máxime cuando la capacidad de TSMC está ocupada con otros pedidos de productos de 3 nm. Está previsto que Samsung intente certificar su proceso de 2 nm para esas necesidades.
Según otros datos, TSMC y Samsung también colaboran en tecnologías avanzadas de empaquetado de chips, de modo que su interacción no se limitará a la producción de la NVHBM. Samsung espera fabricar por sus propios medios las obleas base para la HBM clásica, como hasta ahora. Además, el fabricante surcoreano por encargo también está dispuesto a producir por su cuenta obleas base para otros clientes aparte de Nvidia.