La Comisión Europea ha aprobado la concesión de 319 millones de euros en subvenciones públicas para modernizar la planta de Infineon Technologies en la localidad austriaca de Villach. La compañía pretende ser la primera del mundo en poner en marcha la producción en serie de componentes semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 mm. La inversión total en el proyecto ascenderá a unos 1.100 millones de euros.
Fuente de la imagen: Infineon Technologies
Los fondos se destinarán a ampliar la capacidad de producción actual de Infineon en el estado federado de Carintia. El proyecto, bautizado Empowering Fab, contempla el paso de fabricar componentes GaN en obleas de 200 mm de diámetro a obleas de 300 mm. Según informa la propia Infineon, los primeros productos salidos de la planta modernizada deberían llegar al mercado a finales de 2027. El programa de inversión, en cambio, se extiende hasta 2034.
Infineon dominó ya en 2024 la tecnología de procesamiento de obleas de 300 mm para la electrónica de potencia basada en nitruro de galio. Hasta entonces, estos componentes se fabricaban principalmente en obleas de 200 mm de diámetro. El mayor diámetro permite colocar en una sola oblea aproximadamente 2,3 veces más chips. Gracias a ello, el fabricante espera reducir el coste unitario de los productos y mejorar la eficiencia en el uso de los equipos.
El nitruro de galio se considera una alternativa al silicio en la electrónica de potencia. Los componentes basados en él pueden funcionar a alta frecuencia de conmutación y ofrecer menores pérdidas de energía en la conversión de electricidad. Esto permite crear fuentes de alimentación más compactas, reducir la disipación de calor y rebajar los requisitos de refrigeración. Estas soluciones tienen demanda en equipos de servidores, centros de datos para inteligencia artificial, vehículos eléctricos, robótica y sistemas de energía renovable.
Infineon considera que uno de los ámbitos de aplicación de los componentes GaN es la alimentación de servidores de IA, donde el aumento de la potencia de cálculo va acompañado de un mayor consumo eléctrico. A medida que se extienden los aceleradores de alto rendimiento, los fabricantes de equipos deben elevar la eficiencia de la conversión de energía y reducir las pérdidas en los sistemas de alimentación. Los cargadores y los convertidores industriales plantean exigencias similares.
El consejero delegado de Infineon, Jochen Hanebeck, ha afirmado que el paso a la producción en serie en obleas de 300 mm permitirá a la compañía ampliar el uso del nitruro de galio en la electrónica de potencia. Según la estimación de los analistas de Yole Group, citada por el fabricante, el mercado mundial de componentes GaN de potencia podría alcanzar los 3.500 millones de dólares en 2031. La tasa de crecimiento anual compuesta entre 2025 y 2031 se estima en torno al 35 %.
La subvención aprobada por la Comisión Europea se concederá en el marco de la Ley Europea de Chips (European Chips Act). La recepción de los fondos conlleva una serie de obligaciones. Infineon deberá ampliar la colaboración con universidades, centros de investigación, empresas emergentes y pequeñas compañías tecnológicas, dándoles acceso a laboratorios y a medios de software y hardware. Además, está previsto que el Estado austriaco participe en el reparto de posibles beneficios adicionales del proyecto por encima de las previsiones establecidas.
La Comisión Europea considera que, sin apoyo público, Infineon no habría realizado estas inversiones en Europa. Al examinar la solicitud, el regulador también evaluó el impacto de la subvención en la competencia dentro de la UE. Finalmente, la financiación se consideró necesaria para ampliar la producción europea de semiconductores y reducir la dependencia de proveedores extranjeros.